Mikročástici ze sulfidu germanatého GeS s extrémně velkým povrchem připravili vědci na North Carolina State University, které vedl Linyou Cao. Svým vzhledem připomíná rostlinný květ. Tvoří ji mnoho tenkých plátků GeS o tloušťce 20 až 30 nanometrů. Vznikají pomalou desublimací z par, kdy plátky postupně narůstají jeden na druhém. Sulfid germanatý je levný polovodič, takže podobné struktury by mohly výrazně zvýšit účinnost např.fotovoltaických článků, anebo i elektrochemických akumulátorů a superkapacitorů. Malá tloušťka jednotlivých plátků umožňuje, že chemické reakce v nich budou rychle probíhat. Největší omezení takových procesů zpravidla představuje pomalý pohyb částic v pevné fázi.