Intenzivní záření mění izolanty na vodiče. Tento objev, který by mohl podstatně ovlivnit další vývoj polovodičové elektroniky, učinil prof.Mark Stockman a prof. Vadym Apalkov z Georgia State Univerzity se spolu s německým týmem Ference Krausze zejména z Max-Planck-Institut für Quantenoptik. Osvítíme-li typický izolant oxid křemičitý infračerveným laserem, jeho vodivost prudce vzroste a dosáhne hodnot typických pro nejlepší vodiče - kovy. Po skončení osvitu se rychle vrátí na původní úroveň. Není to dáno tím, že by elektrony uvnitř jeho struktury získaly dostatek energie, aby se mohly začít volně pohybovat jako ve vodičích. Na to infračervené fotony nestačí. Abychom toho docílili, musíme u polovodičů použít viditelné nebo ultrafialové záření, a u izolantů to není proveditelné vůbec. Intenzivní elektromagnetické pole laserového infračerveného pulsu ovlivní elektrická pole uvnitř látky, takže se elektrony v ní stanou volně pohyblivé. Velkou výhodou je vysoká rychlost procesu. Tranzistor pracující na popsaném principu by fungoval i při petaherzové frekvenci. Peta je předpona označující 10¹⁵, tedy milionkrát více než GHz. Současné nejrychlejší polovodičové tranzistory dosahují 100 GHz, tedy 10.000 krát méně.