Jednou z možností, jak zhotovit elektronické paměti, je využít materiálů, jejichž vodivost v krystalickém stavu je výrazně vyšší než v amorfním. Nejvhodnější látkou se jeví tellurid germanato-antimonitý Ge2Sb2Te5. Ericu Popovi a jeho kolegům z University of Illinois Urbana-Champaign se podařilo navrhnout řešení, které překonává hlavní problém tohoto typu pamětí – velkou spotřebu energie nutnou k přechodu mezi stavy. Zmenšili množství nezbytného Ge2Sb2Te5 na nejmenší možnou míru. Touto látkou spojili přerušenou silně vodivou uhlíkovou nanotrubici. Propojení je dlouhé od 20 do 300 nm. V amorfním stavu jeho odpor dosahuje až 50 megaohmů. Vložené elektrické pole způsobí uspořádání a krystalizaci materiálu, takže jeho odpor poklesne na setinu. Výhodou tohoto typu pamětí je jejich velká rychlost.
Vylepšené paměti
16.3.2011
