Společnost Panasonic vyvinula výkonový tranzistor z nitridu galitého GaN, jehož průrazné napětí dosahuje 10.400 V, což je pětkrát více než u ostatních součástek z GaN. Bázi od kolektoru a emitoru odděluje izolační safírová (Al2O3) vrstva. V ní se nacházejí pomocí laseru vytavené otvory, vyplněné nitridem galitým, které jednotlivé elektrody propojují.
Diskuse na akademon.cz je diskusí moderovanou. To znamená, že vydavatel si vyhrazuje právo nezařadit diskusní příspěvky, které se nedotýkají tématu. Z tohoto důvodu se také Váš příspěvek zobrazí s prodlevou.
Autorem nepodepsaných příspěvků je vydavatel RNDr.Ondřej Dvořák, CSc.
CV: Přírodovědeckou fakultu Univerzity Karlovy absolvoval v roce 1985. Poté na Heyrovského úvaru AV ČR honil ionty elektrickým polem z jednoho rozpouštědla do druhého a koukal, co to udělá. Po doktorátu odjel do pouště amerického jihozápadu a na New Mexico State University k tomu iontům ještě svítil. Teď ho zajímá komunikace pachem a hlavně sleduje, co kdo vymyslel chytrého a skládá o tom slova dohromady.
Autorská práva vykonává vydavatel. Jakékoli užití části nebo celku, zejména rozmnožování a šíření jakýmkoli způsobem včetně elektronického i v jiném než českém jazyce je možné pouze s uvedením zdroje, v elektronické podobě s linkem. Redakce nezodpovídá za správnost příspěvků jednotlivých externích autorů.
