Hsaioh-Kang Chang, a Fumiaki Ishikawa z University of Southern Kalifornia pod vedením prof.Chongwu Zhou dokáží vyrobit průhledné pružné tranzistorové pole. Kolektory, editory a báze z oxidu iridito cíničitého propojují uhlíkovými nanotrubicemi. Jejich vynález je možné použít jako ultratenký displej, který můžete připevnit třeba i na přední sklo automobilu.
Pracovníkům výzkumných laboratoří IBM se podařilo připravit z grafenu (akademon.cz 22.10.2004) tranzistor, který při velikosti 150 nm uspokojivě pracuje i při frekvenci 26 GHz.
Hyewon Kang, Tae-il Kim, a Hong H. Lee ze Soulské národní univerzity vyvinuli jednoduchou technologii při přípravu pružných polymerních tranzistorů. Nejprve natisknou základní vzor tranzistorových kolektorů a emitorů z poly(3,4-ethylenedioxythiofenu). Ty propojí velmi tenká vrstva z polovodivého polymeru. Na ni pak nanesou rovněž polymerní dielektrickou vrstvu. Celý proces zakončí natištění tranzistorových bází z poly(3,4-ethylenedioxythiofenu).
