Index lomu monomolekulárních vrstev sulfidu molybdeničitého MoS2 a wolframičitého WS2 a selenidu wolframičitého WSe2 lze elektrikým polem ovládat v dosud netušeném rozsahu. Reálnou část indexu lomu, která zodpovídá za lom světelných paprsků, až o více než 20%. U imaginární části indexu lomu, jež popisuje absorbci (utlumení) světla v materiálu, lze elektrickým polem dosáhnou změn až o více než 60%. Schéma experimentálního uspořádání vidíme na obrázku. Na stříbrném zrcadle (Ag) leží izolační a ochranná 700 nm silná vrstva oxidu hlinitého Al2O3. Na ní najdeme elektrody z nitridu galitého GaN 140 nm vysoké pokryté izolační vrstvou oxidu hafničitého HfO2 o síle 10 nm. Na nich leží 0,62 nm silná monovrstva zkoumaného WS2 nebo jiné testované sloučeniny. Změnou napětí V mezi elektrodou z GaN a slitinou titanu se zlatem Ti/Au úplně nahoře lze měnit odrazivost a absorbanci povrchu v širokém rozmezí.
