Průhledný tranzistor celý z jediného materiálu lze připravit ukládáním z vhodné směsi organokovových sloučenin. Základem je oxid hafničito-zinečnatý Hf_xZn_1-xO_2-δ Změnou poměrů hafnia a zinku, tedy x ve vzorci, nastavíme vlastnosti oxidu tak, že může posloužit jako vhodný materiál pro všechny součásti tranzistoru. To malé δ značí, že v krystalové mřížce chybí některé kyslíkové anionty O_2-. Do reakční komůrky postupně přivádíme směs tetrakis(dimethylamin)hafnia a diethylzinku v různém poměru. Za teploty 160 ^oC se postupně na skleněném podkladu usazují vrstvy, které budou fungovat jako báze, dielektrické vrstva a kolektor s emitorem propojeném polovodičem.

Na obrázku vidíme schematické znázornění uspořádání atomů zinku (tmavě zelené kuličky) a hafnia (světle zelné kuličky) v různých částech tranzistoru, (b) značí vodivou vrstvu, (c) dielektrický materiál báze, (d) polovodivou vrstvu (F.H.Alshammari et al., Transparent Electronics Using One Binary Oxide for All Transistor Layers, Small. 2018 Dec;14(51):e1803969). Dole vidíme náčrtek průhledného tranzistoru vyrobeného z oxidu hafničito-zinečnatého.