Prof. J.Gary Eden a Kuo-Feng (Kevin) Chen z University of Illinois v Urbana-Champaign připravili prototyp prvního plasmového tranzistoru. Emitor vstřikuje elektrony do dutinky vyplněné plasmou. Její vodivost lze nastavovat zvnějšku pomocí elektrického pole, takže se chová jako báze běžného polovodičového tranzistoru. Oproti nim je nový produkt výrazně odolnější, plasmu nelze spálit. Své uplatnění může najít ve výkonových anebo vojenských aplikacích, protože záření atomového výbuch běžné polovodiče trvale zničí. Otázkou zůstává, zdali nový produkt nenazvat spíše zdokonalenou elektronkou než tranzistorem.