Výzkumy provedené týmem Josepha Stroscia z National Institute of Standards and Technology (NIST) ukazují, že grafen, velmi oblíbený a slibný materiál pro nanotechnologie, má závažné nedostatky. Jeho ideální vlastnosti založené na vysoké elektronové mobilitě přetrvávají jen, pokud může zanedbat interakce s okolím. Což v reálných zařízeních, kdy je grafenová folie umístěna na podložce a překryta elektrodami či vrstvami izolantu, rozhodně není pravda. Výzkumy pomoci rastrovacího tunelového mikroskopu ukázaly, že v reálných podmínkách vznikají v grafenu potenciálové jámy, tedy oblasti, kde se elektrony hromadí, což zpomaluje jejich pohyb. Obdobně působí i magnetické pole. Nemusí se jednoznačně jednat o nevýhodu, ale i o možnost, jak přesněji nastavit jeho vlastnosti.