Memristor, čtvrtý pasivní bipolární prvek elektrických obvodů (po odporu, kapacitě a indukčnosti) se podařilo sestrojit pracovníkům firmy Hewlett Packard. Jde o prvek elektrického obvodu, jehož odpor závisí na množství prošlého náboje. Tvoří jej dvě vrstvy oxidu titaničitého. Průchod proudu jednou z nich mění odpor přilehlé vrstvy. Teoreticky jej popsal již prof.Leon O.Chua z University of Californina v Berkeley v roce 1971. V budoucnu možná přispějí ke zjednodušení elektrických obvodů, protože v některých aplikacích mohou nahradit tranzistory. Rovněž se uvažuje o jejich využití jako pamětí.