Čip vytvořený kombinací křemíku a nitridu galitého zhotovil po dlouhých výzkumech vědecký tým z MIT pod vedením doc.Tomáse Palaciose. Na běžném křemíkovém podkladu vytvořili vrstvu z GaN, takže lze vytvářet integrované obvody na obou materiálech vedle sebe. Různé polovodiče vykazují rozdílné vlastnosti, takže jejich kombinace umožní vylepšení stávajících součástek. Nejspíš bude možné i vytvořit kompaktní čipy tam, kde dosud užíváme hybridní technologie, tedy propojení typů čipů pomocí pájených zlatých drátečků.
akademon.cz 21.9.2009: Převáží-li nový koncept není zdaleka jasné. Palaciosův kolega z MIT, prof. Carl V. Thompson, vyvinul metodu, která mu umožňuje propojit čipy pomocí svazku vodivých uhlíkových nanotrubic. Za vhodných podmínek vyrostou jen tam, kde je na křemíkové podložce deponována tenká vrstva tantalu nebo železa. Oba kovy katalyzují rozklad ethylenu CH2 CH2 za nepřítomností vzduchu a teploty 800 stupňů Celsia.
