Tým Doc.Aliho Javeyho z University of California v Berkeley spolu s kolegy z Lawrence Berkeley National Laboratory zhotovil první integrovaný obvod z nanodrátů. Fotodetektor ze selenidu kademnatého CdSe propojili s tranzistorovým zesilovačem z nanodrátů z germania pokrytého křemíkem. Zvládli přitom dosti složitou technologii, jak krystalický materiál pokrýt uspořádaně krystalky jiné struktury. Využili k tomu vlastně běžných tiskařských technik. Jednak nechali nanodráty vyrůst na rovné ploše, jednak na válci. Z plochy je přenesli jejím přitlačením na správné místo, z válce pak nanoobvody tiskli rotací. Osmdesát procent vyrobených obvodů bylo plně funkčních s nepatrnými rozdíly mezi nimi, což je velmi slušný výsledek.
Integrovaný nanoobvod
28.9.2008
