Vývojovému tým z z T.J.Watson Research Center společnosti IBM v newyorském Yorktown Heights pod vedením Phaedona Avourise se podařilo vyřešit problém, jak pevně spojit grafen se standardními materiály integrovaných obvodů. Samotnou vrstvičku grafenu připravili na povrchu plátku z karbidu křemičitého SiC selektivním odpařením křemíku za vhodné teploty. Na povrchu vznikla vrstvička tvořená pouze uhlíkem, která vytvořila vrstvu grafenu. Nadbytečné části grafenové vrstvy odstranily plazmovým leptáním a vodiče připojili napařením hliníku. Celek pak pokryli 120 nm silnou izolační ochranou vrstvou oxidu křemičitého a tranzistor byl hotov. Práce expertů z IBM představuje významný krok při využití grafenu pro výrobu standardních elektronických součástek.
akademon.cz 5.5.2012: Profesor Rodney Ruoff se svými týmem z University of Texas v Austinu různými způsoby modifikuje a upravuje grafen (27.9.2008, 20.12.2009). Jejich posledním kouskem je fluoridování grafenu, tedy navázání atomů fluoru na vrstvu uhlíkových atomů. Metoda, kterou k tomuto účelu vyvinuli, je velmi zajímavá. Fluor je velmi reaktivní plyn, takže práce s ním je náročná. Ruoffův tým pokryl grafen polymerem poly(perfluorobutenylvinyletherem), který ozařoval laserem. Uvolněné fluorové radikály okamžitě reagovaly s grafenem. Odpor fluorovaného grafenu podstatně narůstá. Nové metody bude pravděpodobně možné využít k vytváření složitějších elektronických struktur z jediného plátku grafenu.
