Chladnutí polovodičů

30.11.2016
Experimentální uspořádání  GaAs nanodrátů  o průměrech 103 nm (a), 111 nm (b),  115 nm (c), 122 nm (d), 128 nm (e) a 135 nm (f) na snímcích rastrovacího elektronového mikroskopu.

Vlastnosti akustických fononů v závislosti na utváření povrchu zkoumal tým prof.Alexandra A. Balandina z University of California v Riverside. Teoreticky znějící výzkum může mít velké praktické dopady. Akustické fonony krystalové mřížky hrají důležitou roli při vedení tepla, což je velmi důležité v mikroelektronice. Čím menší součástky máme, tím větší problém je s odváděním tepla. Důkladné poznání chování akustických fononů umožní takové úpravy povrchu, které usnadní odvádění vznikajícího tepla. Pomocí fononů popisujeme mechanické vibrace krystalové mřížky. Nazýváme tak kvanta vibrační energie krystalové mřížky, na něž hledíme jako na virtuální částice kvůli zjednodušení popisu. Akustické fonony jsou ty, při nichž atomy krystalové mřížky se pohybují ve fázi (souhlasně) ze svých rovnovážných poloh. O optických fononech hovoříme, pokud se z rovnovážných poloh pohybují mimo fázi. Výzkum probíhal na nanodrátech z arsenidu galitého GaAs, které v různých délkách a tloušťkách až do průměru 128 nm připravovali Joona-Pekko Kakko a Antti Syänätjoki z Aaltoské univerzity ve Finsku. Na snímcích rastrovacího elektronového mikroskopu vidíme experimentální uspořádání GaAs nanodrátů o průměrech 103 nm (a), 111 nm (b), 115 nm (c), 122 nm (d), 128 nm (e) a 135 nm (f) (F.Kargar et al., Direct observation of confined acoustic phonon polarization branches in free-standing semiconductor nanowires, Nature Communications 7, Article number: 13400 (2016), doi:10.1038/ncomms13400).

 
Odeslat komentář k článku "Chladnutí polovodičů "



Opište text z obrázku:

Odeslat článek "Chladnutí polovodičů " e-mailem

Diskuse/Aktualizace