Na podložce z arsenidu gallitého pokryté zlatými krystalizačními jádry Au (a), necháme epitaxí z trimethylgallia TMGa (Ga(CH3)3) a arsenovodíku AsH3 narůst šesterečné nanosloupečky arsenidu gallitého (b). Po odstranění zlata Au (c) epitaxí z hydridu germanitého GeH4 a disilanu Si2H6 pokryjeme jádra rovněž šesterečným pláštěm (d). (e) označuje snímek celého pole nanosloupečků elektronovým mikroskopem. Upraveno podle Fadaly, E.M.T., Dijkstra, A., Suckert, J.R. et al. Direct-bandgap emission from hexagonal Ge and SiGe alloys. Nature 580, 205–209 (2020).

Na podložce z arsenidu gallitého pokryté zlatými krystalizačními jádry Au (a), necháme epitaxí z trimethylgallia TMGa (Ga(CH3)3) a arsenovodíku AsH3 narůst šesterečné nanosloupečky  arsenidu gallitého (b). Po odstranění zlata Au (c) epitaxí z  hydridu germanitého GeH4 a disilanu Si2H6 pokryjeme jádra rovněž šesterečným pláštěm (d). (e) označuje snímek celého pole nanosloupečků elektronovým mikroskopem. Upraveno podle Fadaly, E.M.T., Dijkstra, A., Suckert, J.R. et al. Direct-bandgap emission from hexagonal Ge and SiGe alloys. Nature 580, 205–209 (2020).